75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL3107PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** IRFSL3107PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 7.0 mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 31A)  
- **R_DS(on) (Max):** 9.0 mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (Min), 4.0V (Max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (at V_GS = 10V, V_DS = 80V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 160pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 47ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRFSL3107PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speed, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRFSL3107PBF.