60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL3206PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFSL3206PBF  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.2mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 450pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 200mJ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRFSL3206PBF is a high-performance N-Channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC conversion applications.

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by minimizing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness under inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 100A continuous drain current.  
- **TO-262 Package:** Suitable for surface-mount applications with good thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.