75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL3307ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFSL3307ZPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Package:** TO-262 (D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 800mJ  

### **Descriptions:**
- The IRFSL3307ZPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is part of IR's HEXFET® family, known for fast switching and ruggedness.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on manufacturer-provided data.