100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL4310PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFSL4310PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Descriptions & Features:**
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package