100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFSL4710 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRFSL4710 Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 52nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology:** Provides low on-resistance and high switching efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements and improves efficiency.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Suitable for high-performance power conversion.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.