55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package Here are the factual details about the **IRFU024N** manufacturer IR (International Rectifier) specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFU024N  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® (High-Efficiency MOSFET)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.024Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improved ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole mounting.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **IRFU024N** MOSFET.