100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU120N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 20nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFU120N is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Fast switching performance  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes and testing conditions, refer to the official IR documentation.