600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU1N60A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFU1N60A  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 7pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU1N60A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the original documentation.