200V N-Channel MOSFET The IRFU210B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFU210B  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFU210B is an N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-voltage switching.  
- **TO-220 Package:** Offers good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.