200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU210PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFU210PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (at V_GS = 10V, I_D = 5.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFU210PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **High Voltage Rating:** 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves efficiency in high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.