200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU220N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.082Ω (at V_GS = 10V)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.11Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Rise Time (t_r):** 23ns  
- **Fall Time (t_f):** 12ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
The IRFU220N is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for high-frequency applications.  
- **High current capability** for robust performance.  
- **Avalanche energy rated** for improved reliability.  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.