200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU220NPBF is a HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fully Characterized:** Includes dynamic and thermal performance data.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official IR documentation.