200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU220PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFU220PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFU220PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  
- The TO-220AB package provides good thermal performance and ease of mounting.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-frequency circuits.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and technical documentation.