400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU310 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU310 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **High current capability** (30A continuous, 120A pulsed)  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.