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IRFU330B from FAI,Fairchild Semiconductor

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IRFU330B

Manufacturer: FAI

400V N-Channel MOSFET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFU330B FAI 138 In Stock

Description and Introduction

400V N-Channel MOSFET The IRFU330B is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **FAI (Fairchild Semiconductor International)** – Note: The IRFU330B was originally produced by International Rectifier, not FAI. There may be confusion with similar part numbers from other manufacturers.  

### **Specifications (IRFU330B by International Rectifier):**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF  
- **Package:** TO-220AB  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified  
- Improved dv/dt capability  
- 100% RDS(on) tested  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-current switching circuits  

If referring to a different manufacturer (FAI), please verify the exact part number and datasheet for accurate specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFU330B IR 164 In Stock

Description and Introduction

400V N-Channel MOSFET The IRFU330B is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFU330B is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-247 package for improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for high-frequency applications.  
- **High current handling** with a continuous drain current of 75A.  
- **Robust thermal performance** due to the TO-247 package.  
- **Avalanche energy rated** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for motor control, power supplies, and DC-DC converters.**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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