100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU3410** is a **Power MOSFET** manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **IRFU3410** Power MOSFET. No additional guidance or suggestions are provided.