30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU3707** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.009Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **IRFU3707** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is sourced from the **International Rectifier (IR) datasheet** for the **IRFU3707** MOSFET.