100V Single N-Channel Automotive HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU3710Z** is a Power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 24ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-247AC (3-pin)**  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **IRFU3710Z** Power MOSFET.