20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU3711PBF** is a Power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
### **Part Number:** IRFU3711PBF  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 28A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 700pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and low conduction losses.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced power dissipation.  
- **Fast Switching Performance** suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** (PBF suffix indicates lead-free).  

### **Applications:**  
- Switching power supplies (SMPS)  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Automotive systems  
- High-current switching applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.