20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU3711Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 6.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring stable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, and DC-DC converter applications.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise and updated specifications.)