20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package **Manufacturer:** IR (International Rectifier)  
**Part Number:** IRFU3711ZPBF  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 11mΩ (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 62A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching circuits.  

This MOSFET is designed for high-performance power management with robust thermal and electrical characteristics.