**Part Number:** IRFU3910PBF  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 42ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

**Descriptions and Features:**  
- High-current, low on-resistance N-Channel MOSFET.  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Fast switching speed for improved performance.  
- Low gate charge for reduced drive requirements.  
- Avalanche energy rated for ruggedness.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

(Source: IR datasheet for IRFU3910PBF)