40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU4104** is a Power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 235nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **IRFU4104** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-current, low-voltage switching applications. It features ultra-low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.

### **Key Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Minimizes conduction losses  
- **High Current Handling:** Supports up to 180A continuous drain current  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Robust Thermal Performance:** TO-220AB package for efficient heat dissipation  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **IRFU4104** Power MOSFET.