500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFU420 & IRFU420A The IRFU420BTU is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFU420BTU  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions:**  
- The IRFU420BTU is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and other industrial applications.  
- The device features low gate charge and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced ruggedness against voltage transients.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.