500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU430APBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFU430APBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-251AA (IPAK)  

### **Description:**  
The IRFU430APBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Rugged and reliable design  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU430APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFU430APBF  

### **Key Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Pin Configuration:** Standard (Gate, Drain, Source)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust performance under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced performance in high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Automotive systems  
- Industrial power management  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.