-55V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU5305** is a Power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.06Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 47ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The **IRFU5305** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **High current handling capability** (up to 31A continuous).  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.