-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU5410 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.052Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFU5410 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various circuits.

### **Features:**  
- **High Current Handling:** Supports up to 33A continuous drain current.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 10V gate drive.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet for the IRFU5410 MOSFET.