-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU9110** is a **Power MOSFET** manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  

### **Description:**  
- The **IRFU9110** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for high-efficiency power conversion, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.