-200V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU9220PBF** is a **P-Channel Power MOSFET** manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.75Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 270pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The **IRFU9220PBF** is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to -200V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.