200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The **IRFU9N20D** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFU9N20D  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **IRFU9N20D** is a **200V N-Channel MOSFET** designed for **high-efficiency switching applications**.  
- It is optimized for **low gate drive requirements** and **fast switching speeds**.  
- Suitable for **power supplies, motor control, and DC-DC converters**.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt capability** for noise immunity.  
- **TO-252 (DPAK) package** for efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU9N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFU9N20D  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 36A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU9N20D is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** – Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability** – Supports high continuous and pulsed currents.  
- **Avalanche Energy Rated** – Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** – Reduces susceptibility to false triggering.  
- **TO-220AB Package** – Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed application notes and testing conditions, refer to the original IR documentation.