600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFUC20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.08Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
- The IRFUC20 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high-speed switching and low conduction losses.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package (Standard Through-Hole Mounting)**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.