600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFUC20PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFUC20PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.6A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 160pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFUC20PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V V_DSS  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is strictly based on Vishay's datasheet for the IRFUC20PBF.