N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFW520A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFW520A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Robust Package:** TO-247AC package provides efficient thermal performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFW520A. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.