N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFW530A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **FSC (Fairchild Semiconductor Corporation)** – The IRFW530A was originally produced by International Rectifier, but Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor) also distributed or referenced similar parts.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 50ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
- The IRFW530A is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-247 package** for high power dissipation capability.  
- **Optimized for motor control, power supplies, and DC-DC converters.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.