N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFW540A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 132A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.044Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-247AC  
- **Technology:** HEXFET® (High-Efficiency MOSFET)  
- **Applications:** Power switching, motor control, inverters, and high-current DC-DC converters.  
### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency and reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable performance in switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is based on FAIRCHILD's datasheet for the IRFW540A MOSFET.