IC Phoenix logo

Home ›  I  › I34 > IRFW540ATM

IRFW540ATM from FAI,Fairchild Semiconductor

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

15.625ms

IRFW540ATM

Manufacturer: FAI

100V N-Channel A-FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFW540ATM FAI 1550 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel A-FET The IRFW540ATM is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies** (formerly International Rectifier)  

### **FAI (First Article Inspection) Specifications:**  
- FAI specifications are typically customer-specific and not publicly disclosed in datasheets. For exact FAI requirements, refer to the manufacturer's or customer's documentation.  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Application:** High-efficiency power switching applications, such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** HEXFET® (High-Efficiency MOSFET)  

### **Features:**  
- **Voltage Rating (VDSS):** 100V  
- **Current Rating (ID):** 33A (continuous at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 0.052Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 63nC (typical)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Drive Power Loss**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **IRFW540ATM datasheet** from Infineon Technologies.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFW540ATM FAIRCHILD 66 In Stock

Description and Introduction

100V N-Channel A-FET The IRFW540ATM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 33A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 132A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 44mΩ (at VGS = 10V, ID = 16A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (TO-262-3, I2PAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Robust and reliable performance in power management circuits.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips