200V N-Channel MOSFET The IRFW610B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

For detailed datasheet information, refer to Fairchild Semiconductor’s official documentation.

200V N-Channel MOSFET