250V N-Channel MOSFET The IRFW624B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
### **Part Number:** IRFW624B  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 56A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.18Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 54nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Package:** TO-247AC (3-pin)  
### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances reliability in high-frequency circuits.  
- **Low Gate Charge:** Enables efficient high-frequency operation.  
### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Inverters  
- High-efficiency power management  
This information is based on Fairchild's datasheet for the IRFW624B MOSFET. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.