200V N-Channel MOSFET The IRFW630B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 37A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Avalanche energy specified for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

The IRFW630B is optimized for performance in switching power supplies and other high-voltage applications.

200V N-Channel MOSFET The IRFW630B is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **FSC Specifications:**  
- **FSC Part Number:** IRFW630B  
- **FSC (Federal Supply Class):** 5961 (Semiconductor Devices)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating:** 200V  
- **Current Rating:** 9.7A (continuous)  
- **Power Dissipation:** 150W  
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (max) at VGS = 10V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Low Gate Charge (Qg)**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and FSC classification.