200V N-Channel MOSFET The IRFW650B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.95Ω (at V_GS = 10V, I_D = 4.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFW650B is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (650V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFW650B.