400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW730A The IRFW730BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFW730BTM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.73Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency in switching circuits.  
- Fast switching performance with low conduction losses.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW730A