500V N-Channel MOSFET The IRFW830B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Features low gate charge and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

(Note: Fairchild Semiconductor was acquired by ON Semiconductor in 2016, but the original part specifications remain unchanged.)