500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW830A The IRFW830BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFW830BTM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2.25A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFW830BTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low gate charge and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced ruggedness.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Fairchild/ON Semiconductor.

500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW830A The IRFW830BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (FSCFAIRCHILD)  
- **Part Number:** IRFW830BTM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.75Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency in switching circuits.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

This information is based on Fairchild Semiconductor’s datasheet for the IRFW830BTM.