500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFW840A The IRFW840BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.0A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFW840BTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DSS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.