500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Y-PAK (TO-257AB) package The IRFY430 is a power MOSFET manufactured by SEMELAB. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFY430 is designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, motor control, and other power management systems.  
- The device features low gate charge and fast switching characteristics.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 500V breakdown voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Robust Design:** Suitable for demanding industrial applications.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

For detailed datasheet information, refer to SEMELAB's official documentation.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Y-PAK (TO-257AB) package