60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ14PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.33Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 160pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFZ14PBF MOSFET.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ14PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFZ14PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.33Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 540pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFZ14PBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ14PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFZ14PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 43W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.33Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFZ14PBF is a rugged N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converter applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- High current handling capability.  
- Robust thermal performance in a TO-220 package.  
- Avalanche energy rated for reliability in harsh conditions.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package