60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ14S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFZ14S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  
- The device is suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 12A continuous current.  
- **Robust Design:** Suitable for rugged industrial and automotive applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides reliability under inductive load conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.