HEXFET TRANSISTORS The IRFZ20 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 50V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFZ20 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Package)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

HEXFET TRANSISTORS

HEXFET TRANSISTORS The IRFZ20 is a power MOSFET manufactured by IRST (International Rectifier). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** IRST (International Rectifier)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ20 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- High current handling capability  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Robust and reliable performance  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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