60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ24VS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  

### **Description:**  
- The IRFZ24VS is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** for enhanced reliability.  
- **TO-220AB Package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.