60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ34 is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFZ34 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 30A continuously.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.